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應(yīng)用領(lǐng)域：IGBT模塊、MEMS封裝、大功率器件封裝、光電器件封裝、氣密性封裝等。
 

　　設(shè)備簡(jiǎn)介：

　　1、觀察系統(tǒng)：腔體帶可視窗口, 可實(shí)時(shí)觀察焊接過(guò)程, 
　　2、加熱系統(tǒng)：設(shè)備配置3套加熱系統(tǒng)，同時(shí)在真空環(huán)境下進(jìn)行工作。
　　3、真空系統(tǒng)：設(shè)備配置直聯(lián)高速旋片式真空泵，可快速實(shí)現(xiàn)爐腔達(dá)到0.1mbar高真空環(huán)境。
　　4、冷卻系統(tǒng)：設(shè)備采用水冷卻系統(tǒng)，保證在高溫真空環(huán)境下可以快速降溫。
　　5、軟件系統(tǒng)：升降溫可編程控制，可根據(jù)工藝設(shè)置升降溫曲線，每條曲線都可自動(dòng)生成，可編輯、修改、存儲(chǔ)等。
　　6、控制系統(tǒng)：軟件模塊化設(shè)計(jì)可獨(dú)立設(shè)置工藝曲線、真空抽取、氣氛、冷卻等，并可合并生產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)一鍵操作。
　　7、氣氛系統(tǒng)：設(shè)備實(shí)現(xiàn)無(wú)助焊劑焊接，可充入H2、N2/H2混合氣體、HCOOH、N2等還原或保護(hù)性氣體。
　　8、數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)：具有不間斷的實(shí)時(shí)監(jiān)控和數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，軟件曲線記錄、溫控曲線保存、工藝參數(shù)保存、設(shè)備參數(shù)記錄、調(diào)用。
　　9、保護(hù)系統(tǒng)：八項(xiàng)系統(tǒng)安全狀態(tài)監(jiān)控和安全保護(hù)設(shè)計(jì)（焊接件超溫保護(hù)、整機(jī)溫度安全保護(hù)、氣壓過(guò)低過(guò)高報(bào)警保護(hù)、水壓保護(hù)、安全操作保護(hù)、焊接時(shí)冷卻水路保護(hù)、液位保護(hù)、斷電保護(hù)）。
 
　　特點(diǎn)： 
 
　　1、高真空度：0.01mbar高真空，腔體真空度數(shù)值實(shí)時(shí)顯示,并可控制和調(diào)節(jié)
　　2、真空抽速，50 m³/h
　　3、工藝腔體壓力：0.1mbar
　　4、加熱板隔層承重，單層承重≥20公斤
　　5、快速的降溫速度：腔體中設(shè)立了獨(dú)立的水冷和氣體冷卻裝置，使被焊接器件實(shí)現(xiàn)快速降溫。
　　6、低空洞率的焊接質(zhì)量：確保焊接之后，大面積焊盤(pán)實(shí)現(xiàn)3%以下的空洞率
　　7、可滿足金錫焊片、高鉛焊料、無(wú)鉛錫膏等材料的高溫焊接要求和焊錫膏真空環(huán)境高質(zhì)量焊接的技術(shù)要求。
　　8、高產(chǎn)能：每層實(shí)際焊接面積為410*540mm，多層同時(shí)工作，實(shí)現(xiàn)器件大批量生產(chǎn)。

        IGBT真空回流爐技術(shù)參數(shù)：

型    號(hào)	H3L
焊接面積	410*540*3層
爐膛高度	100mm
單層承重	20KG
最高溫度	350℃ — 450℃
控制系統(tǒng)	溫控系統(tǒng)+真空系統(tǒng)+冷卻系統(tǒng)+氣氛系統(tǒng)+軟件控制系統(tǒng)
控制方式	品牌工業(yè)電腦+軟件系統(tǒng)
溫度曲線	40段溫度控制
額定功率	60KW
實(shí)際功率	35KW
重量	900KG
真 空 度	0.1mbar/0.0001mbar
溫度范圍	室溫—450℃
最大升溫速度	≥70℃/min
最大降溫速度	≥120℃/min
氣氛還原	氮?dú)浠旌蠚狻⒓儦錃狻⒌獨(dú)獾榷栊詺怏w及甲酸
冷水系統(tǒng)	>100L/min，出水口溫度：5-10℃
電    源	380V 50-60A
外形尺寸	1320*1220*1750mm

注意：如果產(chǎn)品升級(jí)恕不另行通知，網(wǎng)站及資料會(huì)同步升級(jí)，并以實(shí)物為準(zhǔn)！